Datasheet下载- 型号： CTLDM7002A-M621 TR
- 制造商： Central Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CTLDM7002A-M621 TR由Central Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CTLDM7002A-M621 TR价格参考。Central SemiconductorCTLDM7002A-M621 TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CTLDM7002A-M621 TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CTLDM7002A-M621 TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CTLDM7002A-M621 TR 是由 Central Semiconductor Corp 生产的一款 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单N沟道或P沟道FET器件，常用于电源管理和开关应用。 该器件典型应用场景包括： 1. 电源开关电路：适用于DC-DC转换器、负载开关等场合，因其具备快速开关能力和低导通电阻，有助于提高电源效率。 2. 电池供电设备：广泛应用于笔记本电脑、平板、移动电源等便携式电子产品中，用于高效能管理电池供电系统。 3. 电机驱动与继电器驱动：可用于控制小型电机、电磁阀或继电器的开关，具有良好的耐压和电流承载能力。 4. LED照明驱动：作为LED背光或照明系统的开关元件，实现高效、稳定的电流控制。 5. 工业控制与自动化系统：在PLC、传感器模块、工业电源等设备中用作功率开关，具备较强的稳定性和可靠性。 该MOSFET采用SMD（表面贴装）封装，适合自动化生产和紧凑型设计，适用于中低功率应用场合，具备良好的热稳定性和抗干扰能力。
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 280 mA |
| Id-连续漏极电流 | 280 mA |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET N-Channel Small Signal Mosfet |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Central Semiconductor CTLDM7002A-M621 TR |
| 产品型号 | CTLDM7002A-M621 TR |
| Pd-PowerDissipation | 0.9 W |
| Pd-功率耗散 | 900 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 40 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 商标 | Central Semiconductor |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | TLM621 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 正向跨导-最小值 | 80 mS |
| 系列 | CTLDM7002A-M621 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
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